Для китайской 3D NAND подготовлена вторая версия технологии Xtacking

Как сообщают китайские информационные агентства, компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) подготовила вторую версию фирменной технологии Xtacking для оптимизации производства многослойной флеш-памяти 3D NAND. Технология Xtacking, напомним, была представлена на ежегодном форуме Flash Memory Summit в августе прошлого года и даже получила награду в категории «Самый инновационный стартап в области флеш-памяти».

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Конечно, называть стартапом предприятие с многомиллиардным бюджетом ― это явно недооценивать компанию, но, будем честными, YMTC пока не выпускает продукцию в массовом объёме. К массовым коммерческим поставкам 3D NAND компания перейдёт ближе к концу текущего года при запуске в производство 128-Гбит 64-слойной памяти, которая, кстати, будет поддержана той самой инновационной технологией Xtacking.

Как следует из свежих сообщений, на днях на форуме GSA Memory+ технический директор Yangtze Memory Тан Дзян (Tang Jiang) признался, что в августе будет представлена технология Xtacking 2.0. Увы, технический глава компании не поделился подробностями новой разработки, поэтому мы вынуждены ждать августа. Как показывает прошлая практика, компания хранит секрет до конца и раньше начала Flash Memory Summit 2019 мы вряд ли узнаем о Xtacking 2.0 что-то интересное.

Что касается самой технологии Xtacking, то её целью стали три момента, которые оказывают решающее влияние на производство 3D NAND и продуктов на её основе. Это скорость интерфейса чипов флеш-памяти, увеличение плотности записи и скорость вывода на рынок новых продуктов. Технология Xtacking позволяет поднять скорость обмена с массивом памяти в чипах 3D NAND с 1–1,4 Гбит/с (интерфейсы ONFi 4.1 и ToggleDDR) до 3 Гбит/с. По мере роста ёмкости чипов требования к скорости обмена будут расти, и на этом направлении китайцы надеются первыми совершить прорыв.

Для роста плотности записи есть другая преграда ― присутствие на кристалле 3D NAND не только массива памяти, но также периферийных управляющих и питающих цепей. Эти цепи отбирают у массивов памяти от 20 % до 30 % полезной площади, а у 128-Гбит чипов отберут и вовсе 50 % поверхности кристалла. В случае технологии Xtacking массив памяти выпускается на своём кристалле, а цепи управления на другом. Кристалл полностью отдаётся под ячейки памяти, а цепи управления на завершающем этапе сборки чипа присоединяются к кристаллу с памятью.

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти

Раздельное производство и последующая сборка позволяют также ускорять разработку заказных чипов памяти и специальных продуктов, которые как из кубиков собираются в нужном сочетании. Подобный подход позволяет сократить разработку заказных чипов памяти на срок не менее 3 месяцев из общего времени на разработку от 12 до 18 месяцев. Большая гибкость ― выше интерес клиентов, в которых молодой китайский производитель нуждается как в воздухе.

Источник 3dnews.ru.

В прошлое

Учёные вычислили гены, которые отвечают за старение

Apple в срочном порядке переводит сборку ноутбуков и планшетов за пределы Китая

В будущее